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6RY1703-0DA05觸發板西門子型號介紹
本公司主要經營:西門子S72/3/400、S71200、S71500全系列,觸摸屏6AV,DP接頭,6XV總線電纜,通訊模塊6GK系列,SITOP電源6EP系列。變頻調速器MM4,6RA70,6RA80系列及各種附件板子6SE7090,C98043等系列,6SE70,MM4系列及變頻調速器配件。數控伺服6SN,6FC,S120,G120。產品全新原裝,質保一年
6RY1703-0DA05觸發板軟件要求:您必須在STEP75.1版本以上進行配置;。 3)I/O訪問出錯OB122:當訪問一個模塊的數據時出錯,該CPU的操作系統就調用OB122。SM323模塊有16位類型(6ES7323-1BL00-0AA0)和8位類型(6ES7323-1BH00-0AA0)兩種。對于16位類型的模塊,輸入和輸出占用“X”和“X+1”兩個地址。如果SM323的基地址為4(即X=4;插槽為5),那么輸入就被賦址在地址4和5下面,輸出的地址同樣也被賦址在地址4和5下面。在模塊的接線視圖中,輸入字節“X”位于左邊的頂部,輸出字節
絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 是由 MOSFET 和雙極型晶體管復合而成的一種器件 , 其輸入極為 MOSFET, 輸出極為 PNP 晶體管 , 因此 , 可以把其看作是 MOS 輸入的達林頓管。它融和了這兩種器件的優點 , 既具有 MOSFET 器件驅動簡單和快速的優點 , 又具有雙極型器件容量大的優點 , 因而 , 在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用。
在中大功率的開關電源裝置中 ,IGBT 由于其控制驅動電路簡單、工作頻率較高、容量較大的特點 , 已逐步取代晶閘管或 GTO 。但是在開關電源裝置中 , 由于它工作在高頻與高電壓、大電流的條件下 , 使得它容易損壞 , 另外 , 電源作為系統的前級 , 由于受電網波動、雷擊等原因的影響使得它所承受的應力更大 , 故 IGBT 的可靠性直接關系到電源的可靠性。因而 , 在選擇 IGBT 時除了要作降額考慮外 , 對 IGBT 的保護設計也是電源設計時需要重點考慮的一個環節。
IGBT:
1、可以等效為(或理解為):場效應管與大功率三極管組成的復合管。
2、特性類似于場效應管。輸入阻抗非常高,輸出阻抗低,驅動功率非常小,主要是結電容引起的驅動電流、放大倍數高。
3、開關頻率較高,耐壓高、通流能力強(額定電流大)。
4、主要用于:變頻器(逆變)、電磁爐,中、大功率逆變、氬弧焊機等、高頻電源
IGBT模塊FD300R12KE3
IGBT模塊CM400HA-24A
IGBT模塊FZ1200R16KF4_S1
IGBT模塊6SY7000-0AC37
IGBT模塊FZ1200R12KF5
IGBT模塊6SY7000-0AC77
IGBT模塊FF150R12KE3G
IGBT模塊1MBI300SA-120B-52
IGBT模塊1MBI200SA-120B-52
IGBT模塊SKIIP 11NAB063T42
IGBT模塊FF200R12KE3
IGBT模塊BSM25GP120
IGBT模塊FZ1000R12KF5
IGBT模塊6SY7000-0AC80
IGBT模塊6SY7000-0AD33
IGBT模塊FZ1000R16KF4
IGBT模塊6SY7000-0AD04
IGBT模塊6SY7000-0AC85
IGBT模塊SKM200GB128D
IGBT模塊FZ2400R17KE3
6RY1703-0DA05觸發板下列描述適用于所有模擬輸出模塊SM332: 20:如何確定MMC的大小以便完整地存儲STEP7項目? 為了給項目選擇合適的MMC,需要了解整個項目的大小以及要加載塊的大小。可以將這些值與在"SetPG/PCinterface"下的參數進行比較,看是否有不一致。
IGBT 的等效電路如圖 1 所示。由圖 1 可知 , 若在 IGBT 的柵極和發射極之間加上驅動正電壓 , 則 MOSFET 導通 , 這樣 PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通 ; 若 IGBT 的柵極和發射極之間電壓為 0V, 則 MOSFET 截止 , 切斷 PNP 晶體管基極電流的供給 , 使得晶體管截止
由此可知 ,IGBT 的安全可靠與否主要由以下因素決定:
—— IGBT 柵極與發射極之間的電壓 ;
如果 IGBT 柵極與發射極之間的電壓 , 即驅動電壓過低 , 則 IGBT 不能穩定正常地工作 , 如果過高過柵極-發射極之間的耐壓則 IGBT 可能*性損壞 ; 同樣 , 如果加在 IGBT 集電極與發射極允許的電壓過集電極-發射極之間的耐壓 , 流過 IGBT 集電極-發射極的電流過集電極-發射極允許的*電流 ,IGBT 的結溫過其結溫的允許值 ,IGBT 都可能會*性損壞。
3 柵極串聯電阻對柵極驅動波形的影響
柵極驅動電壓的上升、下降速率對 IGBT 開通關斷過程有著較大的影響。 IGBT 的 MOS 溝道受柵極電壓的直接控制,而 MOSFET 部分的漏極電流控制著雙極部分的柵極電流,使得 IGBT 的開通特性主要決定于它的 MOSFET 部分,所以 IGBT 的開通受柵極驅動波形的影響較大。 IGBT 的關斷特性主要取決于內部少子的復合速率,少子的復合受 MOSFET 的關斷影響,所以柵極驅動對 IGBT 的關斷也有影響。
在高頻應用時,驅動電壓的上升、下降速率應快一些,以提高 IGBT 開關速率降低損耗。
IGBT模塊BSM300GA170DN2S
IGBT模塊6SY7000-0AC61
IGBT模塊1MBI400NA-120-02
IGBT模塊6SY7000-0AF07
IGBT模塊SKM400GA124D
IGBT模塊FZ800R16KF4
IGBT模塊FZ3600R17HE4
IGBT模塊A5E02507176
IGBT模塊FZ3600R17HE4P
IGBT模塊FZ2400R17HE4P_B9
IGBT模塊FZ1800R12KF4_S1
IGBT模塊6SY7000-0AD51
IGBT模塊FZ1600R17HP4_B2
IGBT模塊FZ1200R17KE3_S1
IGBT模塊FZ1200R17KE3
IGBT模塊FZ1200R17HE4P
IGBT模塊FZ1200R16KF4
IGBT模塊FZ1200R12KL4C
IGBT模塊BSM75GD120DN2
IGBT模塊BSM50GD120DN2G
6RY1703-0DA05觸發板請遵守以下安裝原則:標準模塊(IM、SM、FM、CP)必須插到隔離模塊左側的插槽中,防錯數字E/A模塊必須插到隔離模塊右側的插槽中。DC輸出型電路用場效應晶體管(MOSFET)作為功率放大器元件,僅DV輸出型有高速脈沖輸出,*輸出頻率為20kHz 3、S7-200的擴展模塊 不同信號的S7-200CPU上已經集成了一定數量的數字量I/O點,若實際需要的I/O點數過該CPU的I/O點數時,則通過增加輸入/輸出擴展模塊來達到擴展功能、擴大控制能力。
2 保護措施
在進行電路設計時 , 應針對影響 IGBT 可靠性的因素 , 有的放矢地采取相應的保護措施。
2 . 1 IGBT 柵極的保護
IGBT 的柵極-發射極驅動電壓 VGE 的保證值為 ± 20V, 如果在它的柵極與發射極之間加上出保證值的電壓 , 則可能會損壞 IGBT, 因此 , 在 IGBT 的驅動電路中應當設置柵壓限幅電路。另外 , 若 IGBT 的柵極與發射極間開路 , 而在其集電極與發射極之間加上電壓 , 則隨著集電極電位的變化 , 由于柵極與集電極和發射極之間寄生電容的存在 , 使得柵極電位升高 , 集電極-發射極有電流流過。這時若集電極和發射極間處于高壓狀態時 , 可能會使 IGBT 發熱甚至損壞。如果設備在運輸或振動過程中使得柵極回路斷開 , 在不被察覺的情況下給主電路加上電壓 , 則 IGBT 就可能會損壞。為防止此類情況發生 , 應在 IGBT 的柵極與發射極間并接一只幾十 k Ω 的電阻 , 此電阻應盡量靠近柵極與發射極。如圖 2 所示。
由于 IGBT 是功率 MOSFET 和 PNP 雙極晶體管的復合體 , 特別是其柵極為 MOS 結構 , 因此除了上述應有的保護之外 , 就像其他 MOS 結構器件一樣 ,IGBT 對于靜電壓也是十分敏感的 , 故而對 IGBT 進行裝配焊接作業時也必須注意以下事項:
2 集電極與發射極間的過壓保護
過電壓的產生主要有兩種情況 , 一種是施加到 IGBT 集電極-發射極間的直流電壓過高 , 另一種為集電極-發射極上的浪涌電壓過高。
2.2.1 直流過電壓
直流過壓產生的原因是由于輸入交流電源或 IGBT 的前一級輸入發生異常所致。解決的辦法是在選取 IGBT 時 , 進行降額設計 ; 另外 , 可在檢測出這一過壓時分斷 IGBT 的輸入 , 保證 IGBT 的安全。
2.2.2 浪涌電壓的保護
因為電路中分布電感的存在 , 加之 IGBT 的開關速度較高 , 當 IGBT 關斷時及與之并接的反向恢復二極管逆向恢復時 , 就會產生很大的浪涌電壓 Ldi/dt, 威脅 IGBT 的安全。
由以上分析可知,柵極串聯電阻和驅動電路內阻抗對 IGBT 的開通過程影響較大,而對關斷過程影響小一些,串聯電阻小有利于加快關斷速率,減小關斷損耗,但過小會造成 di/dt 過大,產生較大的集電極電壓尖峰。因此對串聯電阻要根據具體設計要求進行全面綜合的考慮。
柵極電阻對驅動脈沖的波形也有影響。電阻值過小時會造成脈沖振蕩,過大時脈沖波形的前后沿會發生延遲和變緩。 IGBT 的柵極輸入電容 Cge 隨著其額定電流容量的增加而增大。為了保持相同的驅動脈沖前后沿速率,對于電流容量大的 IGBT 器件,應提供較大的前后沿充電電流。為此,柵極串聯電阻的電阻值應隨著 IGBT 電流容量的增加而減小。
IGBT模塊6SY7000-0AA82
IGBT模塊6RY1700-0AA03
IGBT模塊2MBI150S-120-52
IGBT模塊2MBI100S-120-52
IGBT模塊1MBI400S-120
IGBT模塊FZ900R16KF4
IGBT模塊FZ900R16KF4
IGBT模塊FZ800R16KF4
IGBT模塊FZ2400R17KE3_B9_S1
IGBT模塊FZ1000R16KF4
IGBT模塊FS300R12KE4
IGBT模塊6SY7000-0AF11
IGBT模塊6SY7000-0AF11
6RY1703-0DA05觸發板注意事項:請注意緊湊型CPU僅支持有源傳感器(4線制傳感器)。如果使用無源傳感器(2制傳感器),必須使用外部電源。 5. 將所有的參數都裝載到模塊中(通過設備 > 裝載到設備菜單命令); 退出SIMATIC PDM。