6SY7000-0AF11 IGBT功率模塊西門子原裝*

本公司主要經營：西門子S72/3/400、S71200、S71500全系列，觸摸屏6AV，DP接頭，6XV總線電纜，通訊模塊6GK系列，SITOP電源6EP系列。變頻調速器MM4,6RA70,6RA80系列及各種附件板子6SE7090，C98043等系列，6SE70，MM4系列及變頻調速器配件。數控伺服6SN,6FC,S120,G120。產品全新原裝，質保一年。

6SY7000-0AF11 IGBT功率模塊53：在S7-300F中，是否可以在中央機架上把錯誤校驗和標準模塊結合在一起使用？CP 243-1 已通訊準備就緒。 78：STEP7以格式存儲POINTER參數類型？ STEP7以6個字節保存POINTER參數。

IGBT 是 MOSFET 與雙極晶體管的復合器件。它既有 MOSFET 易驅動的特點，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優點。其頻率特性介于 MOSFET 與功率晶體管之間，可正常工作于幾十 kHz 頻率范圍內，故在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。  

    IGBT 是電壓控制型器件，在它的柵極 - 發射極間施加十幾 V 的直流電壓，只有 μA 級的漏電流流過，基本上不消耗功率。但 IGBT 的柵極 - 發射極間存在著較大的寄生電容（幾千至上萬 pF ），在驅動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數 A 的充放電電流，才能滿足開通和關斷的動態要求，這使得它的驅動電路也必須輸出一定的峰值電流。  
FS50R12KE3
FS450R17KE3 
FS450R17KE3
FS450R17KE3
FS450R12KE3
FS450R12KE3
FS3L400R12PT4-B26
FS35R12KEG
FS30R06XL4
FS300R17KE3
FS300R12KE4
FS300R12KE3
FS300R12KE3
FS225R12KE3
FS20R06XL4
FS200R06KE3
FS15R06XL4
FS150R12KT4
FS150R12KT3
FS150R12KT3
FS150R12KE3G
FS150R12KE3
FS10R06XL4
FS100R12KT4G/KE3/KT3
FS100R12KT4G

IGBT功率模塊采用IC驅動，各種驅動保護電路，高性能IGBT芯片，*封裝技術，從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導彈發射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB，大大降低電路接線電感，進步系統效率，現已開發*第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發展熱門。

6SY7000-0AF11 IGBT功率模塊占用2個地址字節。您可以在PLC的用戶程序中調用"DP_SEND"和"DP_RECV"功能塊，讀寫CP342-5這個內部的存儲器。需要注意在一個S7-300組態中，如果進行跨越模塊的I/O直接讀訪問(用該命令一次讀取幾個字節)，那么就會讀到不正確的值。可以通過hardware中查看具體的地址。此階段里CPU識別出所連接的從站的故障。

IGBT 的過流保護電路可分為 2 類：一類是低倍數的（ 1.2 ～ 1.5 倍）的過載保護；一類是高倍數（可達 8 ～ 10 倍）的短路保護。  

     對于過載保護不必快速響應，可采用集中式保護，即檢測輸入端或直流環節的電流，當此電流過設定值后比較器翻轉，封鎖所有 IGBT 驅動器的輸入脈沖，使輸出電流降為零。這種過載電流保護，一旦動作后，要通過復位才能恢復正常工作。  

    IGBT 能承受很短時間的短路電流，能承受短路電流的時間與該 IGBT 的導通飽和壓降有關，隨著飽和導通壓降的增加而延長。如飽和壓降小于 2V 的 IGBT 允許承受的短路時間小于 5μs ，而飽和壓降 3V 的 IGBT 允許承受的短路時間可達 15μs ， 4 ～ 5V 時可達 30μs 以上。存在以上關系是由于隨著飽和導通壓降的降低， IGBT 的阻抗也降低，短路電流同時增大，短路時的功耗隨著電流的平方加大，造成承受短路的時間迅速減小。  

GD150FFL120C6S
GD10PJK120L1S
GD10PIK120C5S
FZ900R12KF5
FZ900R12KF
FZ900R12KE4
FZ900R12KE4
FZ800R17KF4
FZ800R16KF4
FZ800R12KS4
FZ800R12KL4C
FZ800R12KF4
FZ800R12KE3
FZ800R12KE3
FZ600R17KE4
FZ600R17KE4
FZ600R17KE3
FZ600R12KS4
FZ900R12KS4
FZ900R12KS4
FZ600R12KS4 
FZ600R12KS4

6SY7000-0AF11 IGBT功率模塊警告：請注意所允許的*輸入電流。2線制傳感器在出現短路時可能會出*允許電流。技術數據中規定的*允許電流是50mA(破壞極限)。對于這種情況(例如，對2線制傳感器加電流限制或與傳感器串聯一個PTC熱敏電阻)，確保提供足夠保護。功能模塊FM350-1/FM450-1的數字輸入I2是用于把計數器重置為初始值的。需要注意在一個S7-300組態中，如果進行跨越模塊的I/O直接讀訪問(用該命令一次讀取幾個字節)，那么就會讀到不正確的值。可以通過hardware中查看具體的地址。TIME >= CYCLE T#3s MINIMUM BREAK TIME。

  IGBT 的驅動電路必須具備 2 個功能：一是實現控制電路與被驅動 IGBT 柵極的電隔離；二是提供合適的柵極驅動脈沖。實現電隔離可采用脈沖變壓器、微分變壓器及光電耦合器。  

  圖 3 為采用光耦合器等分立元器件構成的 IGBT 驅動電路。當輸入控制信號時，光耦 VLC 導通，晶體管 V2 截止， V3 導通輸出＋ 15V 驅動電壓。當輸入控制信號為零時， VLC 截止， V2 、 V4 導通，輸出－ 10V 電壓。＋ 15V 和－ 10V 電源需靠近驅動電路，驅動電路輸出端及電源地端至 IGBT 柵極和發射極的引線應采用雙絞線，長度*不過 0.5m 。  

實現慢降柵壓的電路  
正常工作時，因故障檢測二極管 VD1 的導通，將 a 點的電壓鉗位在穩壓二極管 VZ1 的擊穿電壓以下，晶體管 VT1 始終保持截止狀態。 V1 通過驅動電阻 Rg 正常開通和關斷。電容 C2 為硬開關應用場合提供一很小的延時，使得 V1 開通時 uce 有一定的時間從高電壓降到通態壓降，而不使保護電路動作。  當電路發生過流和短路故障時， V1 上的 uce 上升， a 點電壓隨之上升，到一定值時， VZ1 擊穿， VT1 開通， b 點電壓下降，電容 C1 通過電阻 R1 充電，電容電壓從零開始上升，當電容電壓上升到約 1.4V 時，晶體管 VT2 開通，柵極電壓 uge 隨電容電壓的上升而下降，通過調節 C1 的數值，可控制電容的充電速度，進而控制 uge 的下降速度；當電容電壓上升到穩壓二極管 VZ2 的擊穿電壓時， VZ2 擊穿， uge 被鉗位在一固定的數值上，慢降柵壓過程結束，同時驅動電路通過光耦輸出過流信號。如果在延時過程中，故障信號消失了，則 a 點電壓降低， VT1 恢復截止， C1 通過 R2 放電， d 點電壓升高， VT2 也恢復截止， uge 上升，電路恢復正常工作狀態

6SY7000-0AF11 IGBT功率模塊自由分配地址的優點：因為模塊之間沒有地址間隙，就可以優化地使用可用地址空間。在創建標準軟件時，分配地址過程中可以不考慮所涉及的S7-300的組態。 組態分布式I/O(DP) 組態硬件和通訊連接，STEP 7 V5.3 版本 A5E00446503-01 3-27 3.7 智能DP 從站 3.7.1 組態智能DP 從站 智能DP 從站并非給DP 主站提供直接來自實際輸入或輸出的I/O 數據，而是來自 CPU 的數據，CPU 與CP 一起構成了DP 從站。 81：加密的300PLCMMC處理方法 如果您忘記了您在S7-300CPUProtection屬性中所設定的密碼，那么您只能夠采用siemens的編程器PG（6ES7798-0BA00-0XA0）上的讀卡槽或采用帶USB接口的讀卡器（USBdelete?S7MemoryCard?prommer6ES7792-0AA00-0XA0），選擇SIMATICManager界面下的菜單File選項刪除MMC卡上原有的內容，這樣MMC就可以作為一個未加密的空卡使用了，但無法對MMC卡進行jie密，讀取MMC卡中的程序或數據。注意:*的可帶電阻是6K，如果電位計支持直接輸出一個可變的電壓，那么電位計的首端應該連接V＋，M端連接M－.

6DD2920-0XG02 西門子使用方法 ：

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