6DD2920-0XC03 全新原裝

本公司主要經(jīng)營：西門子S72/3/400、S71200、S71500全系列，觸摸屏6AV，DP接頭，6XV總線電纜，通訊模塊6GK系列，SITOP電源6EP系列。變頻調(diào)速器MM4,6RA70,6RA80系列及各種附件板子6SE7090，C98043等系列，6SE70，MM4系列及變頻調(diào)速器配件。數(shù)控伺服6SN,6FC,S120,G120。產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)保一年。

6DD2920-0XC03 6ES7322-5SD00-0AB0SIMATICS7，數(shù)字量輸出LSM322，可選隔離，4DO，24VDC，10MA，20針，用于發(fā)送危險(xiǎn)區(qū)域信號，具有診斷能力，PTB測試TI TIME >= CYCLE T#20s RESET TIME。DC輸出型電路用場效應(yīng)晶體管（MOSFET）作為功率放大器元件，僅DV輸出型有高速脈沖輸出，*輸出頻率為20kHz 3、S7-200的擴(kuò)展模塊 不同信號的S7-200CPU上已經(jīng)集成了一定數(shù)量的數(shù)字量I/O點(diǎn)，若實(shí)際需要的I/O點(diǎn)數(shù)過該CPU的I/O點(diǎn)數(shù)時(shí)，則通過增加輸入/輸出擴(kuò)展模塊來達(dá)到擴(kuò)展功能、擴(kuò)大控制能力。

IGBT 是 MOSFET 與雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有 MOSFET 易驅(qū)動的特點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)。其頻率特性介于 MOSFET 與功率晶體管之間，可正常工作于幾十 kHz 頻率范圍內(nèi)，故在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。  

    IGBT 是電壓控制型器件，在它的柵極 - 發(fā)射極間施加十幾 V 的直流電壓，只有 μA 級的漏電流流過，基本上不消耗功率。但 IGBT 的柵極 - 發(fā)射極間存在著較大的寄生電容（幾千至上萬 pF ），在驅(qū)動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數(shù) A 的充放電電流，才能滿足開通和關(guān)斷的動態(tài)要求，這使得它的驅(qū)動電路也必須輸出一定的峰值電流。  
FS50R12KE3
FS450R17KE3 
FS450R17KE3
FS450R17KE3
FS450R12KE3
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FS3L400R12PT4-B26
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FS30R06XL4
FS300R17KE3
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FS15R06XL4
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FS150R12KE3
FS10R06XL4
FS100R12KT4G/KE3/KT3
FS100R12KT4G

IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動，各種驅(qū)動保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，*封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，進(jìn)步系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)*第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱門。

6DD2920-0XC03 ②、用IM360/361模板： 或者可以這樣做：打開一個(gè)新的項(xiàng)目，創(chuàng)建一個(gè)新的硬件組態(tài)。??SM322-1HF01繼電器模塊需要17V和8mA才能確保開閉正常。對于觸點(diǎn)的壽命來說，這樣的值比手冊上提供的這個(gè)模塊的值(10V和5mA)更好。手冊的規(guī)定值應(yīng)該認(rèn)為是*低要求值。 ? 當(dāng)有擴(kuò)展模塊連接時(shí)CPU 模塊也為其提供5V 電源。

IGBT 的過流保護(hù)電路可分為 2 類：一類是低倍數(shù)的（ 1.2 ～ 1.5 倍）的過載保護(hù)；一類是高倍數(shù)（可達(dá) 8 ～ 10 倍）的短路保護(hù)。  

     對于過載保護(hù)不必快速響應(yīng)，可采用集中式保護(hù)，即檢測輸入端或直流環(huán)節(jié)的電流，當(dāng)此電流過設(shè)定值后比較器翻轉(zhuǎn)，封鎖所有 IGBT 驅(qū)動器的輸入脈沖，使輸出電流降為零。這種過載電流保護(hù)，一旦動作后，要通過復(fù)位才能恢復(fù)正常工作。  

    IGBT 能承受很短時(shí)間的短路電流，能承受短路電流的時(shí)間與該 IGBT 的導(dǎo)通飽和壓降有關(guān)，隨著飽和導(dǎo)通壓降的增加而延長。如飽和壓降小于 2V 的 IGBT 允許承受的短路時(shí)間小于 5μs ，而飽和壓降 3V 的 IGBT 允許承受的短路時(shí)間可達(dá) 15μs ， 4 ～ 5V 時(shí)可達(dá) 30μs 以上。存在以上關(guān)系是由于隨著飽和導(dǎo)通壓降的降低， IGBT 的阻抗也降低，短路電流同時(shí)增大，短路時(shí)的功耗隨著電流的平方加大，造成承受短路的時(shí)間迅速減小。  

GD150FFL120C6S
GD10PJK120L1S
GD10PIK120C5S
FZ900R12KF5
FZ900R12KF
FZ900R12KE4
FZ900R12KE4
FZ800R17KF4
FZ800R16KF4
FZ800R12KS4
FZ800R12KL4C
FZ800R12KF4
FZ800R12KE3
FZ800R12KE3
FZ600R17KE4
FZ600R17KE4
FZ600R17KE3
FZ600R12KS4
FZ900R12KS4
FZ900R12KS4
FZ600R12KS4 
FZ600R12KS4

6DD2920-0XC03 ??使用S7-300時(shí)，帶硬件時(shí)鐘(內(nèi)置的“實(shí)時(shí)時(shí)鐘”)和帶軟件時(shí)鐘的CPU之間有區(qū)別。對于那些無后備電池的軟件時(shí)鐘的CPU，運(yùn)行時(shí)間計(jì)數(shù)器在CPU被完全復(fù)位后其*值被刪除。而對于那些有后備電池的硬件時(shí)鐘的CPU，運(yùn)行時(shí)間計(jì)數(shù)器的*值在CPU被完全復(fù)位后被保留下來。同樣，CPU318和所有的S7-400CPU的運(yùn)行時(shí)間計(jì)數(shù)器在CPU被完全復(fù)位后其*值被保留。 注意事項(xiàng)：在關(guān)聯(lián)通道數(shù)據(jù)塊中，必須將位DBX27.0或DBX27.1(CTRL_DQ0)設(shè)置為1，以便使設(shè)置按正確的方向進(jìn)行。在S7-300F的中央機(jī)架上，可以混合使用防錯(cuò)和非防錯(cuò)（標(biāo)準(zhǔn)）數(shù)字E/A模塊。為此，就像在ET200M中一樣，需要一個(gè)隔離模塊(MLFB:6ES7195-7KF00-0XA0)，用來在中央和擴(kuò)展機(jī)架中隔離防錯(cuò)模塊和標(biāo)準(zhǔn)模塊。FC3"D_TOD_DT"從DATE_AND_TIME中取出DATE。。

  IGBT 的驅(qū)動電路必須具備 2 個(gè)功能：一是實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動 IGBT 柵極的電隔離；二是提供合適的柵極驅(qū)動脈沖。實(shí)現(xiàn)電隔離可采用脈沖變壓器、微分變壓器及光電耦合器。  

  圖 3 為采用光耦合器等分立元器件構(gòu)成的 IGBT 驅(qū)動電路。當(dāng)輸入控制信號時(shí)，光耦 VLC 導(dǎo)通，晶體管 V2 截止， V3 導(dǎo)通輸出＋ 15V 驅(qū)動電壓。當(dāng)輸入控制信號為零時(shí)， VLC 截止， V2 、 V4 導(dǎo)通，輸出－ 10V 電壓。＋ 15V 和－ 10V 電源需靠近驅(qū)動電路，驅(qū)動電路輸出端及電源地端至 IGBT 柵極和發(fā)射極的引線應(yīng)采用雙絞線，長度*不過 0.5m 。  

實(shí)現(xiàn)慢降柵壓的電路  
正常工作時(shí)，因故障檢測二極管 VD1 的導(dǎo)通，將 a 點(diǎn)的電壓鉗位在穩(wěn)壓二極管 VZ1 的擊穿電壓以下，晶體管 VT1 始終保持截止?fàn)顟B(tài)。 V1 通過驅(qū)動電阻 Rg 正常開通和關(guān)斷。電容 C2 為硬開關(guān)應(yīng)用場合提供一很小的延時(shí)，使得 V1 開通時(shí) uce 有一定的時(shí)間從高電壓降到通態(tài)壓降，而不使保護(hù)電路動作。  當(dāng)電路發(fā)生過流和短路故障時(shí)， V1 上的 uce 上升， a 點(diǎn)電壓隨之上升，到一定值時(shí)， VZ1 擊穿， VT1 開通， b 點(diǎn)電壓下降，電容 C1 通過電阻 R1 充電，電容電壓從零開始上升，當(dāng)電容電壓上升到約 1.4V 時(shí)，晶體管 VT2 開通，柵極電壓 uge 隨電容電壓的上升而下降，通過調(diào)節(jié) C1 的數(shù)值，可控制電容的充電速度，進(jìn)而控制 uge 的下降速度；當(dāng)電容電壓上升到穩(wěn)壓二極管 VZ2 的擊穿電壓時(shí)， VZ2 擊穿， uge 被鉗位在一固定的數(shù)值上，慢降柵壓過程結(jié)束，同時(shí)驅(qū)動電路通過光耦輸出過流信號。如果在延時(shí)過程中，故障信號消失了，則 a 點(diǎn)電壓降低， VT1 恢復(fù)截止， C1 通過 R2 放電， d 點(diǎn)電壓升高， VT2 也恢復(fù)截止， uge 上升，電路恢復(fù)正常工作狀態(tài)

6DD2920-0XC03 1．CPU的存儲空間： CPU CPU 315-2DP Address area (I, Q) PROFIBUS CP PROFIBUS I/O DP Master Intelligent DP Slave 差別：“標(biāo)準(zhǔn)”DP 從站 - 智能DP 從站 在“標(biāo)準(zhǔn)”DP 從站中，例如緊湊的(ET 200B)或模塊化的(ET 200M) DP 從站中， DP 主站訪問分布式的輸入/輸出。域被分配到從下一個(gè)字地址(或字節(jié)地址)。請遵守以下安裝原則：標(biāo)準(zhǔn)模塊(IM、SM、FM、CP)必須插到隔離模塊左側(cè)的插槽中，防錯(cuò)數(shù)字E/A模塊必須插到隔離模塊右側(cè)的插槽中。

6ES7221-1BF22-0XA8西門子附件：

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H8028L11C1030C60...